Splošno
	Tip Naprave	Solid state drive - notranji
	Zmogljivosti	1 TB
	Strojno Šifriranje	Da,
	Enkripcija	256-bit AES
	Masovni Pomnilnik NAND Flash Tip	Triple-level cell (TLC)
	Form Factor	M. 2 2280
	Vmesnik	PCIe 5.0 x2 (NVMe)
	Značilnosti	Inteligentni TurboWrite Tehnologije, Samsung V-TLC NAND Tehnologijo, Napravo Spanja podporo, Gostitelj področje Pomnilnika (HMB), TRIM podporo, Avto Smeti Zbiranje Algoritem, S. M. A. R. T., IEEE 1667
	Širina	22.15 mm
	Globina	80.15 mm
	Višina	2.38 mm
	Teža	9 g
		Učinkovitost
	Interna Stopnja	7150 MBps (branje) / 6300 MBps (pisanje)
	Največ 4KB Naključno Pisanje	1350000 IOPS
	Največ 4KB Naključno Branje	850000 IOPS
		Zanesljivost
	MTBF	1.500.000 ur
		Širitev & Povezovanje
	Združljiv Bay	M. 2 2280
		Moč
	Poraba Energije	4.3 Watt (branje) 4.2 W (pisanje) 60 mW (pripravljenosti) 5 mW (spanje)
		Programska Oprema In Sistemske Zahteve
	Priložena Programska Oprema	Samsung Čarovnik Programske Opreme
		Razno
	Ohišje Material	Nikelj premaz
		Garancijo Proizvajalca
	Servis In Podpora	Omejena garancija - 5 let / 600 TBW
		Okolje Parametri
	Min Temperatura Delovanja	0 °C
	Max Obratovalna Temperatura	70 °C
	Udarcu (nedelovanje)	1500 g @ 0,5 ms
	Vibracije Tolerance (nedelovanje)	20 g @ 20-2000 Hz

Disk SSD M.2 NVMe PCIe 4.0 1TB Samsung 990 EVO Plus 2280 7250/6300MB/s (MZ-V9S1T0BW)

Opis izdelka